Транзисторы полевые в Белгороде
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...
37₽x4 в сплит
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...
Express доставка
43₽x4 в сплит
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...
70₽x4 в сплит
Полевой транзистор КП103
тип: Активные компоненты
79₽x4 в сплит
N-канал 40В 162А
163₽x4 в сплит
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корп...
Полевой транзистор в формирователе питающих напряжений
Тип: транзистор
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
69₽x4 в сплит
Ac-1303, AO3404, A49T, Транзистор полевой, N-MOSFET, 30В, 5.8А, 0.9Вт, SOT-23, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), Alpha Omega
количество в упаковке: 1 шт.
тип: транзистор
81₽x4 в сплит
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C
тип: транзистор
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...
510₽x4 в сплит
Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin
Применяются для ремонта ЭУР (Электрического усилителя руля) в автомобиле LADA (ВАЗ) Granta.
Технические характеристики:
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С I...
40₽x4 в сплит
Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности)
количество в упаковке: 10 шт.
тип: транзистор биполярный кр...
56₽x4 в сплит
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзист...
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов LM317T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог UPC317 схема ECG1900 характеристики цоколевка datasheet LM317 LM317Т – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания различных блоков питания. Он способен быть основ...
32₽x4 в сплит
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
76₽x4 в сплит
Ac-10438, TL071CP, Малошумящий операционный усилитель с входным каскадом на полевых транзисторах, PDIP-8, ABC, Микросхемы, Усилители – Инструментальные, Операционные, Буферные, ON Semiconductor
количество в упаковке: 1 шт.
тип: транзистор
56₽x4 в сплит
N Channel, Id=17A, Vds=100V, Rds(on)=0.09ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=79W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
46₽x4 в сплит
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется по...
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500 В Максимальное напряжение затвора...
Полевые транзисторы
Сгоревшие полевые транзисторы
Полевой транзистор как это работает
78₽x4 в сплит
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C) Технические характеристики IRFU9024N Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant СерияHEXFET® FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide FET Feat...
37₽x4 в сплит
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
45₽x4 в сплит
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3
напряжение: 60 В
ти...
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 2...
59₽x4 в сплит
Ac-40419, STP60NF06, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC,, STP60NF06, P60NF06, STP60NF06L, 60NF06
количество в упаковке: 1 шт.
тип: транзистор
64₽x4 в сплит
Ac-39909, IRF840APBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC,, IRF840
количество в упаковке: 1 шт
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характе...
69₽x4 в сплит
Модуль Mosfet полевой МОП транзистора AndyKaLab AOD4184-40V 50A - это высокопроизводительный модуль, который обеспечивает быстрый и надежный контроль над силовыми устройствами. Он идеально подходит для управления двигателями, электромагнитными клапанами и другими устрой...
64₽x4 в сплит
Ac-32848, IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 162А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC
90₽x4 в сплит
КП306А Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с вы...
61₽x4 в сплит
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...
72₽x4 в сплит
Транзисторы КП350В - это кремниевые диффузно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Они предназначены для использования в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. Транзисторы КП350В выпускаются...
92₽x4 в сплит
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
тип: тран...
60₽x4 в сплит
P-Channel HEXFET Power MOSFET, Vds=100V, Id=23A, Rds(on)=117 mOhm, Pd=140W Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое на...
73₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...
75₽x4 в сплит
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A MOSFET транзистор SSS7N60B Изготовитель: Fairchild Semiconductor Corp. Исполнение: TO-220F
78₽x4 в сплит
Транзисторы IRF840 TO-220 по наилучшей цене
58₽x4 в сплит
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
В книге приведено самое полное описание устройств на полевых транзисторах. Особое внимание уделено новым классам этих приборов – мощным полевым транзисторам различного типа, IGBT и интегральным микросхемам на их основе. Даны основы теории, расчета и описание работы самы...
58₽x4 в сплит
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 300(500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваем...
58₽x4 в сплит
Максимальный ток стока: 4,1А Максимальное напряжение сток-исток: 800V Сопротивление сток-исток (откр: < 3,0 om Максимальная мощность рассеивания: 125W Допустимое напряжение на затворе: ±20V Пороговое напряжение на затворе: +2,0+4,0V Ток утечки затвора: < 0,1 µA Ток утеч...
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
118₽x4 в сплит
Описание МОП-транзистор MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 40 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в...
138₽x4 в сплит
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
94₽x4 в сплит
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 72 A Максимальная темпе...
58₽x4 в сплит
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
98₽x4 в сплит
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора...
123₽x4 в сплит
Основные технические параметры КП902А: КП902А Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до...
58₽x4 в сплит
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
58₽x4 в сплит
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...
В категории Транзисторы полевые в наличии 3732 товара из
75 магазинов по цене от 99 руб. до 389025 руб.
с доставкой в Белгороде.
Вам может быть интересно
- Транзисторы МП 25
- Транзисторы КТ818ГМ
- Драйверы MOSFET International Rectifier TO-220 IRF3205
- Транзисторы кт 805
- Модуль твердотельного реле, 5в 2а
- Транзисторы КТ805
- Транзисторы BC547C
- Биполярные транзисторы NPN
- Транзисторы 2N5551
- Транзисторы кт805а
- Транзисторы КТ816
- Транзисторы 2n2222
- Uno r3 arduino совместимый контроллер
- Транзисторы КТ503В
- Радиодетали и электронные компоненты
- Резисторы 51 Ohm
- Транзисторы КТ818
- Транзисторы