Оперативная память Samsung DDR 400 DIMM 1Gb в Москве
Оперативная память Samsung DDR 400 DIMM 1Gb в Самаре
0 0
Белгород

    Оперативная память Samsung DDR 400 DIMM 1Gb в Белгороде

    Категории
    Фильтр
    Цена
    от до
    Очистить
    Производитель
    Очистить
    Express доставка
    1135₽x4 в сплит
    Модель M378A5244CB0-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Режим работы двухканальный Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A5244CB0-CWE Количество рангов (Ranks) quad r...
    Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWED0
    в карточку товара
    Express доставка
    300₽x4 в сплит
    Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 2.5
    Оперативная память DDR 1Gb 400 Mhz Samsung So-Dimm для ноутбука
    в карточку товара
    Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS...
    Оперативная память Samsung M378B5173QH0-CK0 DDRIII 4GB
    в карточку товара
    96₽x4 в сплит
    Данный модуль оперативной памяти совместим с платформами intel и AMD Общие характеристики Производитель Samsung Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM Количество модулей памяти 1 Размер одного модуля памяти, Мб 1024 Тактовая частота, МГц 800 Дополнительные характеристики Проп...
    Оперативная память 1GB DDR2 PC-6400 Samsung 1gb 1rx8 pc2-6400u-666-12-zz 1Гб 1 Гб модуль ОЗУ
    в карточку товара
    Express доставка
    496₽x4 в сплит
    Модель KVR26S19S6/4 Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19 Латентность CL19 Режим работы двухканальный Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR26S19S6/4 Количество ран...
    Модуль памяти Kingston DDR4 SO-DIMM 2666MHz PC-21300 CL19 - 4Gb KVR26S19S6/4
    в карточку товара
    Express доставка
    325₽x4 в сплит
    Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 2.5
    Оперативная память DDR 1Gb 400 Mhz Micron MT16VDDF12864HY-400F2 PC-3200 So-Dimm для ноутбука
    в карточку товара
    Тип: DDR3L, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11
    Оперативная память Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb
    в карточку товара
    Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC нет Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2
    Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M378A1G43DB0-CPB
    в карточку товара
    Тип: DDR2, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 667 МГц, форм-фактор: FB-DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 5, особенности: радиатор, ECC, буферизованная (Registered)
    Оперативная память Samsung DDR2 667 FB-DIMM 8Gb
    в карточку товара
    Тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11
    Оперативная память Samsung DDR3L 1600 DIMM 4Gb
    в карточку товара
    Характеристики: Тип памяти: DDR2 Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГц Количество контактов: 240 Объем: 1 модуль 1 Гб Пропускная способность: 5300Мб/с Напряжение питания: 1.8 В Поддержка ECC: есть Обратите внимание на внешний вид на фото, перед покупкой! Мы тести...
    Оперативная память Samsung M395T2953EZ4-CE66, DDR2, 1GB, 5300 ОЕМ
    в карточку товара
    Модуль памяти m368l2923cun-ccc, DDR, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина
    Оперативная память Samsung M368L2923CUN-CCC (M368L2923CUN-CCC) DIMM DDR 1 ГБ - DDR 1 ГБ, 400 МГц, PC3200, 3-3-3
    в карточку товара
    Express доставка
    571₽x4 в сплит
    D_HEIGHT 5 D_LENGTH 20 D_WIDTH 18 EANUPCCode 740617310870 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px...
    Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KVR32N22S6/8 3200MHz CL22 1.2V 1R 16Gbit
    в карточку товара
    Express доставка
    290₽x4 в сплит
    Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 11
    Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800
    в карточку товара
    498₽x4 в сплит
    Модель AD4S26668G19-SGN Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Бренд A-DATA PartNumber/Артикул Производителя AD4S26668G19-SGN Количество рангов (Ranks) dual rank Длина упаковки (ед) 0.16...
    Оперативная память A-Data AD4S26668G19-SGN DDR4 - 1x 8ГБ 2666МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
    в карточку товара
    Express доставка
    475₽x4 в сплит
    Оперативная память SODIMM DDR3L 8GB Samsung M471B1G73DB0-YK0 Форм-фактор SODIMM для ноутбука Тип памяти DDR3L Стандарт PC3L-12800 Частота 1600 MHz CAS Latency 11 тактов Тайминги 11-11-11 Пропускная способность 12800 MB/s Напряжение питания 1.35V Количество ранков 2R Дву...
    Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0
    в карточку товара
    Express доставка
    798₽x4 в сплит
    Название Оперативная память DDR5 8Gb 4800 Mhz Samsung M425R1GB4BB0-CQK0D PC5-4800B So-Dimm для ноутбука. Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400. CL 40. Количе...
    Оперативная память Samsung SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
    в карточку товара
    Express доставка
    1448₽x4 в сплит
    Оперативная память Samsung M471A1K43BB1-CRC DDR4 2400 Mhz; Объем модуля 8 Gb Совместимые модели (список может быть не полным): Samsung M471A1K43CB1-CRC Samsung M471A1K43BB1-CRC количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin так...
    Оперативная память Samsung M471A1K43BB1-CRC DDRIV 8GB
    в карточку товара
    Express доставка
    1165₽x4 в сплит
    Оперативная память Netac Shadow II – характерна пропускная способность PC25600 при поддержке частоты до 3200 МГц. Даже при отсутствии в сборке других модулей ОЗУ это устройство обеспечит собираемому вами геймерскому системному блоку начального уровня достаточно высокое...
    Модуль памяти DDR 4 DIMM 16Gb PC25600, 3200Mhz, Netac Shadow II NTSWD4P32SP-16W C16 White, с радиатором
    в карточку товара
    Express доставка
    320₽x4 в сплит
    Оперативная память SODIMM AMD Radeon R5 Entertainment Series [R534G1601S1S-U] может быть полезна владельцам мобильных компьютеров, которые рассчитаны на использование модулей DDR3. Устройство, объем которого равен 4 ГБ, обеспечивает возможность модернизации ноутбука. Ув...
    Оперативная память Amd SO-DIMM DDR3 4Gb 1600MHz pc-12800 (R534G1601S1S-U) Rtl
    в карточку товара
    693₽x4 в сплит
    Миниатюрные размеры модуля памяти Foxline делают его подходящим для использования в ноутбуках. Достаточно высокая частота этого модуля оперативной памяти обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, прове...
    Оперативная память Foxline 8 ГБ DDR3 SODIMM CL11 FL1600D3S11-8G
    в карточку товара
    Express доставка
    169₽x4 в сплит
    ОЗУ Dimm 2Gb PC3-10600(1333)DDR3 Samsung M378B5673FH0-CH9 количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 2 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600
    Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M378B5673FH0-CH9
    в карточку товара
    6 qty 1gb ddr dimm 400 MHz
    6 qty 1gb ddr dimm 400 mhz
    Оперативная память DDR  4 поколения
    Оперативная память ddr 4 поколения
    Модуль оперативной памяти для ноутбука Samsung SO DIMM DDR2 1Gb
    Модуль оперативной памяти для ноутбука samsung so dimm dd...
    Express доставка
    650₽x4 в сплит
    Тип: DDR объем одного модуля: 1 ГБ тактовая частота: 400 МГц Форм-фактор: DIMM количество модулей в комплекте: 1 шт. CL: 2.5
    Модуль памяти DIMM DDR HYNIX 1Gb HYMD512646CP8J-D43 400МГц (PC-3200), CL 2.5, Retail
    в карточку товара
    225₽x4 в сплит
    Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273BH1-CF8 стандарта DDR3, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 8500 Мб/с. количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1066 МГц тайминги: 7-7-7-30 напряжение пит...
    Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
    в карточку товара
    Express доставка
    306₽x4 в сплит
    Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M378B1G73QH0-CK0 Технические характеристики Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/сек Схема таймингов памяти...
    Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73QH0-CK0
    в карточку товара
    Оперативная память Samsung M470T5663QZ3-CE6 для ноутбуков. Оперативная память DDR2 второго поколения отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Моду...
    Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6
    в карточку товара
    350₽x4 в сплит
    Основные характеристики Вес (грамм) Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 4 Линейка Модель KVR26N19S6 / 4 Напряжение (В) 1.2 В (DDR4) Низкопрофильная Нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка...
    Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KVR26N19S6/4
    в карточку товара
    388₽x4 в сплит
    Оперативная память Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и...
    Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
    в карточку товара
    Express доставка
    480₽x4 в сплит
    Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Количеств...
    Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 4ГБ Samsung M378B5273DH0-CH9 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
    в карточку товара
    233₽x4 в сплит
    Коротко о товаре: Оперативная память Samsung DDR3 4Gb DIMM тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: DIMM количество модулей в комплекте: 1 шт
    Модуль памяти Samsung DIMM DDR3, 4ГБ, 1333МГц, PC3-10600
    в карточку товара
    Express доставка
    414₽x4 в сплит
    Модель HKED3082BAA2A0ZA1/8G Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Латентность CL11 Бренд HIKVISION PartNumber/Артикул Производителя HKED3082BAA2A0ZA1/8G Вес упаковки (ед) 0.036 Тип памяти DDR3L Объем 8...
    Оперативная память Hikvision HKED3082BAA2A0ZA1/8G DDR3L - 8ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
    в карточку товара
    Express доставка
    613₽x4 в сплит
    8-гигабайтная оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CRC] является отличным вариантом для модернизации мобильного компьютера, в котором используется память DDR4. Увеличив объем памяти, вы сможете повысить скорость работы операционной системы и большинства прогр...
    Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
    в карточку товара
    Express доставка
    588₽x4 в сплит
    Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем...
    Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD
    в карточку товара
    548₽x4 в сплит
    M471A5143DB0-CPB 4GB 1Rx8 PC4-2133P-SA0-10 тип: DDR4 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 2133 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 шт
    Оперативная память Samsung DDR4 4 ГБ 1Rx8 2133 MHz SO-DIMM PC4-2133P-SA0-10
    в карточку товара
    Express доставка
    1670₽x4 в сплит
    Название Память оперативная DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM DDR5 SEC (PC5-38400, 4800, CL40) 1.1V (M425R2GA3BB0-CQK). Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400. CL 40...
    Оперативная память SO-DIMM Samsung 16GB OEM DDR5-4800 (M425R2GA3BB0-CQK)
    в карточку товара
    Desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
    Оперативная память Samsung M378T6553CZ3-CE6 DDRII 512Mb
    в карточку товара
    Express доставка
    2037₽x4 в сплит
    Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M391A2K43DB1-CWE Тип DDR4 Емкость одного модуля 16384 Количество модулей 1 Частотная спецификация 3200 Тип поставки OEM Форм-фактор DIMM Показатель скорости PC4-25600 Error Checking and Correction (ECC) ДА Буферизация unbuf...
    Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A2K43DB1-CWE
    в карточку товара
    359₽x4 в сплит
    Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенн...
    Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
    в карточку товара
    Express доставка
    608₽x4 в сплит
    Память DIMM DDR4 8Gb 3200MHz Samsung [M378A1G44AB0-CWE] - это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный и произведенный компанией Samsung. Память имеет объем одного модуля 8 ГБ, что позволяет обеспечить высокую производительность и быстродействие систе...
    Модули памяти Samsung 8Gb PC25600 DDR4 DIMM 3200MHz M378A1G44AB0-CWE
    в карточку товара
    Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристики STORAGE CAPACITY 16GB MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM NUMBER OF MODULES 1 X 16GB BUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600 DATA INTEGRITY CHECK ECC...
    Оперативная память Samsung M393B2G70BH0-CH9 DDRIII 16Gb
    в карточку товара
    Express доставка
    525₽x4 в сплит
    Высота(см) 1 длина(см) 15 масса(кг) 0.06 ширина(см) 4 GTD Number 10005030/300423/3112026 GTIN 04897065181616 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R748G2606U2S-UO высота(см) 1 гарантия 1 год длина(см) 15 масса(кг) 0.06 Производитель Amd ширина(см) 4 . adpar_pro...
    Оперативная память Amd DDR4 8Gb 2666MHz pc-21300 (R748G2606U2S-UO) oem
    в карточку товара
    Express доставка
    1364₽x4 в сплит
    Модули памяти серии Viper Elite II от Patriot являются улучшенным обновлением существующей серии Viper Elite. Память Viper Elite II оснащена красными алюминиевыми радиаторами, которые эффективно обеспечивают отвод тепла, для достижения максимальной производительности. П...
    Оперативная память Patriot Viper Elite II DDR4 - 2x 8Gb, 4000 МГц, DIMM, CL20 (pve2416g400c0k)
    в карточку товара
    Модуль памяти SAMSUNG SODIMM DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666-12-E3 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению...
    Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Samsung M470T5663EH3-CF7 So-Dimm PC2-6400 для ноутбука
    в карточку товара
    1098₽x4 в сплит
    D_HEIGHT 6 D_LENGTH 32 D_WIDTH 33 EANUPCCode vnm323r1gb4bb0-cqkol Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin...
    Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M323R1GB4BB0-CQKOL
    в карточку товара
    243₽x4 в сплит
    Модуль памяти Patriot PSD34G13332S — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 1333 МГц, благодаря чему он...
    Оперативная память Patriot Модуль памяти для ноутбука SODIMM 4GB PC10600 DDR3 PSD34G13332S PATRIOT
    в карточку товара
    Express доставка
    468₽x4 в сплит
    ХарактеристикиПроизводительNetacЛинейкаНетМодельNTBSD4P32SP-08Тип оборудованияПамятьЧастота (MHz)DDR4 - 3200Тип модуляDIMMОбъем одного модуля (ГБ)8Количество модулей в комплекте (шт)1Общий объем памяти (ГБ)8Пропускная способность (МБ/с)25600Поддержка ECCНетПоддержка Reg...
    Оперативная память Netac DDR4 8Gb 3200MHz pc-25600 (NTBSD4P32SP-08)
    в карточку товара
    Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR4 1600 SO-DIMM 8Gb пропускная способность PC17000 p/n: M391A1G43DB0-CPB SOKHA 107303352D7DC 1730 8Gb 2Rx8 PC4-2133P-SEO-10 DDR4 SO-DIMM Оперативная память SODIMM Samsung формата DDR4 имеет ряд важных преимуществ по сравнению с пр...
    Оперативная память 8 ГБ 1 шт. SO-DIMM Samsung M391A1G43DB0-CPB DDR4
    в карточку товара
    700₽x4 в сплит
    Оперативная память Samsung 8GB PC3L-10600R DDR3-1333, M393B1K70DH0-YH9 доступен для заказа. Купить оперативную память M393B1K70DH0-YH9 вы можете по самой выгодной цене. Доставку модулей памяти можно оформить по всей России и СНГ. Технические характеристики: STORAGE CAPA...
    Модуль памяти DDR3 8Gb Samsung M393B1K70DH0-YH9 PC3L-10600 1333Mhz ECC REG 1,35V
    в карточку товара
    Express доставка
    893₽x4 в сплит
    Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 44800 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM SO-DIMM Конструкция Радиатор Нет Подсветка Нет Тайминги CA...
    Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM)
    в карточку товара
    Express доставка
    628₽x4 в сплит
    Название Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8Gb PC25600 3200Mhz Samsung. Тип DDR4. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Количество чипов каждого модуля 8. Напряжение...
    Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
    в карточку товара
    729₽x4 в сплит
    Количество модулей в комплекте: 1 шт. объем одного модуля: 0.5 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 400 МГц тайминги: 3 напряжение питания: 1.7 В пропускная способность: PC3200 особенности: ECC, Registered
    Оперативная память Micron MT9HTF6472Y-40EB2 DDRII 512Mb
    в карточку товара
    302₽x4 в сплит
    Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2г...
    Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM
    в карточку товара
    В категории Оперативная память Samsung DDR 400 DIMM 1Gb в наличии 11282 товара из 56 магазинов по цене от 382 руб. до 171838 руб. с доставкой в Белгороде.